YVO4晶體的負折射特性剖析 ?

日期: 2023/4/2 3:00:00 來源：http://www.xingyuxing.com.cn/news929559.html

　　YVO4晶體在可見光及近紅外波段有杰出的透光性，透光范圍較寬，硬度較高，可人工生長出大塊優質晶體，并且易于加工，價格較低，是光通信無源器材如光隔離器、旋光器、推遲器、偏振器中的關鍵資料。

　　YVO4晶體(no=2.02,ne=2.25,532 nm)相比KDP(no=1.51,ne=1.47,532 nm)及其他光學晶體各向異性更強，負折射相關視點更大。為確認YVO4晶體的負折射與使用，詳細分析YVO4晶體光軸取向不同時空氣與晶體的界面上e光負折射的最大入射角與出射角范圍及其與光軸角的關系，并分析e光在孿晶界面上的偏折特征。

　　YVO4晶體折射

　　單軸晶體的介電常數ε1=ε2≠ε3ε1=ε2≠ε3，激光從均勻介質入射到單軸晶體界面時o光和e光傳輸速度不同導致雙折射現象，o光遵從Snell定理，e光與光軸方向夾角不同時折射率不同不遵從Snell定理。雙折射表現為o、e光相位或者出射方向的不同。從均勻介質向單軸晶體界面入射時，入射角在必定范圍內，e光會呈現負折射現象。負折射的臨界入射角最大值和最大負折射角最大值均取決于雙折射率Δn=|ne?no|Δn=|ne?no|，且ΔnΔn越大臨界入射角和最大負折射角越大。

　　自然光入射到空氣和單軸晶體界面，調查到o光、e光兩條折射光線，均為正折射，調整入射視點能夠調查到折射e光和入射光在法線同一側的負折射狀況。YVO4晶體用于調查丈量以上雙折射及負折射特性，鑒于e光在單軸晶體中的特殊狀況，也可用多塊單軸晶體適當組合設計成相應的e光導波器材。